蘋(píng)果的組織培養是采用無(wú)菌培養技術(shù)，將來(lái)自?xún)?yōu)良植物的莖尖、腋芽、葉片、鱗片、塊根和球莖等器官以及它們的組織切片進(jìn)行離體培養，使之在短期內獲得大量遺傳性一致的個(gè)體的方法。由于離體技術(shù)處理嚴格，所以很容易脫除一些細菌病原及病毒，是復壯品種的有效措施。已成功脫除的病毒和病害有蘋(píng)果褪綠葉斑病毒、花葉病病毒、輪紋病等。蘋(píng)果矮化砧、抗寒砧的組織培養也已成功。蘋(píng)果脫毒組培技術(shù)流程具體如下。

　　

　　一、外植體材料選擇與處理

　　

　　早春，將上年芽接或切接的盆栽長(cháng)富2號蘋(píng)果苗移人溫室，待新梢長(cháng)出3～5片新葉時(shí)，放入熱處理箱中，37℃恒溫熱處理30 d或32℃與37℃每8 h變換一次，變溫熱處理60 d。脫毒率可達80％以上。熱處理結束后，從盆栽苗嫩梢上采集生長(cháng)旺盛、長(cháng)約2～3cm頂梢，流水沖洗10min，去掉小葉。70％乙醇浸泡30s，蒸餾水沖洗后放入0.1％ HgCI中消毒10min，無(wú)菌水沖洗3～5次，解剖鏡下迅速剝取1.0 mm的莖尖進(jìn)行分離培養，接種于起始培養基上。

　　

　　二、培養基制備

　　

　　1.1 芽誘導

　　

　　適宜蘋(píng)果芽誘導培養基為：MS+6-BA 1.0 mg/L+NAA 0.1 mg/L。誘導的芽生長(cháng)正�？砂l(fā)育成新梢。

　　

　　1.2 繼代培養

　　

　　選擇誘導的芽叢切割成單芽莖段，轉接于設計的繼代培養基上。適宜的蘋(píng)果繼代培養基為：MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.05mg/L+蔗糖4％+瓊脂0.36mg/L。培養條件：光照強度2000～2500lx，光照時(shí)間14～16 h/d，適宜溫度為25℃±2.0℃。40 d后增殖6.1倍。

　　

　　1.3 生根培養

　　

　　選擇生長(cháng)正常的繼代培養苗，剪成單芽莖段，插入生根培養基中，蘋(píng)果適宜的生根培養基為：1／2MS+IAA1.5mg/L+蔗糖25％+瓊脂0.36％。培養30d后，平均4～6條根／苗，長(cháng)達0.5～1.0cm。根白且粗，多直接生于莖基部。

　　

　　三、培養條件

　　

　　溫度26～30℃，光照強度1500～2000 LX，10 h/d。

　　

　　四、煉苗、移栽

　　

　　強光閉瓶鍛煉生根苗20～25 d，不定根長(cháng)至1 cm時(shí)，將培養瓶移至自然強光下，不去封口膜繼續培養20 d左右，使試管苗幼莖更加充實(shí)健壯。光太強時(shí)可遮陰，控制溫度在35℃以下。閉瓶鍛煉后開(kāi)瓶鍛煉，除去封口膜，繼續鍛煉2～5d，使試管苗適應低濕環(huán)境。然后從瓶?jì)热〕鼋?jīng)過(guò)鍛煉生根的試管苗，洗去根部的培養基，移栽于營(yíng)養缽中(基質(zhì)為田園土：腐熟發(fā)黑鋸末；河沙=1:2:1混合配制)，于溫度25℃的塑料大棚中培育。將營(yíng)養缽小苗放在塑料大棚內加蓋有薄膜的小拱棚內，早晚各灑水1次，1～3d保持相對濕度在85％以上，基質(zhì)水分不宜過(guò)多。1周后開(kāi)始逐漸揭膜通風(fēng)，直至完全除去薄膜。過(guò)渡移栽約30d，地上部分生長(cháng)到10cm左右時(shí)可移至大田。